新聞動態(tài)
首頁 > 新聞動態(tài)1:電路原理:電路圖如下
可控硅調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成,其電路原里圖如圖所示。從圖中可知,二極管D1-D4組成橋式整流電路,雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當調(diào)壓器接上市電后,220V交流電通過負載電阻RL經(jīng)二極管D1-D4整流,在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓,該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時,整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當充電電壓Uc達到T1管的峰值電壓Up時,T1管由截止變?yōu)閷?,于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電,結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極,使可控硅導通??煽毓鑼ê蟮墓軌航岛艿停话阈∮?V,所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過零點時,可控硅自關斷。當交流電在負半周時,電容C又從新充電……如此周而復始,便可調(diào)整負載RL上的功率了。
2:元器件選擇
可控硅調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器,這種電位器可以直接焊在電路板上,電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外,其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1-D4選用反向擊穿電壓大于300V、最大整流電流大于0.3A的硅整流二極管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件,如國產(chǎn)3CT系例。