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新聞動(dòng)態(tài)

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可控硅應(yīng)用時(shí)常見(jiàn)問(wèn)題解決方法
發(fā)布時(shí)間:2017-08-25 08:24:06
   觸發(fā)驅(qū)動(dòng)問(wèn)題晶閘管又稱可控硅作為開(kāi)關(guān)器件,當(dāng)觸發(fā)脈沖的持續(xù)時(shí)間較短時(shí),脈沖幅度必須相應(yīng)增加,同時(shí)脈沖寬度也取決于陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流的時(shí)間。在本系統(tǒng)中,由于感性負(fù)載的存在,陽(yáng)極電流上升率低,若不施加寬脈沖觸發(fā),則晶閘管往往不能維持導(dǎo)通狀態(tài)。考慮負(fù)載是強(qiáng)感性的情況,采用高電平觸發(fā),其缺點(diǎn)是晶閘管損耗過(guò)大。

  晶閘管阻斷問(wèn)題晶閘管是一種開(kāi)關(guān)器件,應(yīng)用過(guò)程中,影響關(guān)斷時(shí)間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復(fù)電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響最大,結(jié)溫愈高,關(guān)斷時(shí)間愈長(zhǎng);反壓越高,關(guān)斷時(shí)間愈短。

  在系統(tǒng)中,由于感性負(fù)載的存在,在換流時(shí),電感兩端會(huì)產(chǎn)生很大的反電勢(shì)。這個(gè)異常電壓加在晶閘管兩端,容易引起晶閘管損壞。為了防止這種情況,通常采用浪涌電壓吸收電路。

  dv/dtdi/dt效應(yīng)問(wèn)題晶閘管的斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt較大的時(shí)候,有可能在比它的正向轉(zhuǎn)折電壓低得很多的電壓下導(dǎo)通。如果電路上的dv/dt超過(guò)器件允許的dv/dt值時(shí),晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通而失去阻斷能力。在應(yīng)用電路中,將晶閘管的門極通過(guò)電阻與陰極相連,從外部將位移電流旁路掉,以防止dv/dt引起的誤導(dǎo)通。

  di/dt過(guò)大容易造成晶閘管擊穿,在電路中采用前沿陡的高電平觸發(fā)以增大初始導(dǎo)通面積,從而改善di/dt容量。

  由于dv/dt過(guò)大引起的誤導(dǎo)通和di/dt過(guò)大引起的晶閘管擊穿現(xiàn)象,其后果是十分嚴(yán)重的。通過(guò)原理電路可以看出,這種情況的出現(xiàn)會(huì)使變壓器短路而產(chǎn)生“環(huán)流”,造成晶閘管甚至變壓器的損壞。在電路設(shè)計(jì)中,采用可靠的晶閘管通斷檢測(cè)措施,避免這種現(xiàn)象的發(fā)生。

  過(guò)電壓、過(guò)電流保護(hù)措施

  過(guò)電壓的產(chǎn)生,主要有以下原因:

  (1)變壓器投入時(shí)的浪涌電壓;

  (2)變壓器抽頭轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓;

  (3)雷擊侵入時(shí)的浪涌電壓;

  (4)直流回路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓。

  在電路中,加入浪涌吸收器可以吸收變壓器一次系統(tǒng)電磁轉(zhuǎn)移而侵入的浪涌電壓,同時(shí)還能吸收變壓器通斷時(shí)產(chǎn)生的磁能。為避免雷擊侵入產(chǎn)生的浪涌電壓,可采用半導(dǎo)體避雷器。 

  消除環(huán)流是該穩(wěn)壓器的一大關(guān)鍵問(wèn)題,為了解決這一難題,我們采取了如下技術(shù)措施:

  (1)確保晶閘管的觸發(fā)信號(hào)可靠。利用軟件濾波程序使輸出觸發(fā)控制信號(hào)每組只有一個(gè)有效,其次利用74LS273和研制的防環(huán)流邏輯電路(PAL16V8),以確保即使單片機(jī)失控的情況下也不會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā)。另外,觸發(fā)信號(hào)引線采用屏蔽線等措施,防止干擾。

  (2)確保轉(zhuǎn)換可靠。在正常工作時(shí),經(jīng)常要改變補(bǔ)償電壓的大小,即要調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通組合,如:使S1導(dǎo)通換為S2導(dǎo)通,則必須在關(guān)斷S1的同時(shí)給S2觸發(fā)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)晶閘管的轉(zhuǎn)換。如果轉(zhuǎn)換的時(shí)機(jī)或者組合不當(dāng)就會(huì)形成環(huán)流,損壞晶閘管。在設(shè)計(jì)中采用了零點(diǎn)切換技術(shù),即在電流過(guò)零時(shí)讓S1自然關(guān)斷,同時(shí)觸發(fā)S2使其導(dǎo)通。由此可見(jiàn),在轉(zhuǎn)換過(guò)程中最關(guān)鍵的是準(zhǔn)確檢測(cè)電流過(guò)零信號(hào)。為此,采取軟、硬件結(jié)合及互鎖技術(shù),確保過(guò)零信號(hào)的準(zhǔn)確無(wú)誤。實(shí)際運(yùn)行表明:上述技術(shù)成功地解決了環(huán)流問(wèn)題。

 

  感性負(fù)載的影響由于感性負(fù)載的存在,應(yīng)考慮加大觸發(fā)脈沖寬度,否則晶閘管在陽(yáng)極電流達(dá)到擎住電流之前,觸發(fā)信號(hào)減弱,可能會(huì)造成晶閘管不能正常導(dǎo)通。在關(guān)斷時(shí),感性負(fù)載也會(huì)給晶閘管造成一些問(wèn)題,如:截止浪涌。

  在實(shí)際系統(tǒng)中,采用高電平觸發(fā),以確保晶閘管可靠導(dǎo)通。為保證晶閘管轉(zhuǎn)換過(guò)程中不產(chǎn)生關(guān)斷失敗現(xiàn)象,采用可靠的互鎖技術(shù),以確保晶閘管不損壞。

 

過(guò)零開(kāi)關(guān)技術(shù)在調(diào)壓過(guò)程中,通過(guò)過(guò)零檢測(cè)技術(shù)來(lái)控制晶閘管門極觸發(fā)信號(hào),保證其過(guò)零時(shí)通斷,避免調(diào)壓過(guò)程中由于晶閘管開(kāi)關(guān)對(duì)電網(wǎng)造成的污染。 

可控硅調(diào)壓器的問(wèn)題

采用移相式觸發(fā)方式、適用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類型。可控硅調(diào)壓器:是一種以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以專用控制電路為核心的電源功率控制電器。簡(jiǎn)稱晶閘管調(diào)功器。又稱晶閘管調(diào)功器,晶閘管調(diào)壓器,晶閘管調(diào)整器,可控硅調(diào)功器,可控硅調(diào)整器,具有效率高、無(wú)機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。

可控硅調(diào)壓器


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